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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXTF6N200P3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 2000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 215W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Paket / Fall | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IXTF02N450 | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK | 32 | Einzelheiten | |
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IXTF6N200P3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 3050 | Einzelheiten |