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| Numero di parte | IXTF6N200P3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 215W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Pacchetto / caso | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXTF02N450 | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK | 32 | Dettagli | |
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IXTF03N400 | IXYS | MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK | 0 | Dettagli | |
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IXTF1N400 | IXYS | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 | 0 | Dettagli | |
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IXTF1N450 | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK | - | 362 | Dettagli |
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IXTF1R4N450 | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | 42 | Dettagli | |
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IXTF200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 | - | 0 | Dettagli |
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IXTF230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 | - | 0 | Dettagli |
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IXTF250N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4 | - | 0 | Dettagli |
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IXTF280N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 | - | 0 | Dettagli |
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IXTF2N300P3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 1666 | Dettagli |
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IXTF6N200P3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 3050 | Dettagli |