IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
IRFHM8363TR2PBF P1
IRFHM8363TR2PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFHM8363TR2PBF

品番
IRFHM8363TR2PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 IRFHM8363TR2PBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.35V @ 25µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1165pF @ 10V
電力 - 最大 2.7W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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