IRFHM3911TRPBF

MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
IRFHM3911TRPBF P1
IRFHM3911TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFHM3911TRPBF

品番
IRFHM3911TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRFHM3911TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.2A (Ta), 20A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 35µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 26nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 760pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 115 mOhm @ 6.3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (3x3)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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