IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
IRFHM8363TR2PBF P1
IRFHM8363TR2PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFHM8363TR2PBF

Numéro d'article
IRFHM8363TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article IRFHM8363TR2PBF
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1165pF @ 10V
Puissance - Max 2.7W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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