IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
IRFHM8363TR2PBF P1
IRFHM8363TR2PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFHM8363TR2PBF

Artikelnummer
IRFHM8363TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer IRFHM8363TR2PBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1165pF @ 10V
Leistung max 2.7W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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