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| Numero di parte | BSH111,215 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 335mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 830mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSH10-E | Panduit Corp | CONN SPLICE 10-12 AWG CRIMP | - | 0 | Dettagli |
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BSH103,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 127444 | Dettagli | |
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BSH103,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 25083 | Dettagli | |
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BSH105,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 | 45000 | Dettagli | |
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BSH105,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 | 0 | Dettagli | |
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BSH108,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 | 0 | Dettagli | |
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BSH111,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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BSH111,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BSH111BKR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V SOT-23 | 33000 | Dettagli | |
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BSH112,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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BSH114,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 | 0 | Dettagli | |
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BSH121,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 | - | 6 | Dettagli |