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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | BSH111,215 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 335mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 830mW (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |