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Numero di parte | BSH111BKR |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 210mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 30V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 302mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 200mA, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |