BSH111,215

MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
BSH111,215 P1
BSH111,215 P1
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Nexperia USA Inc. ~ BSH111,215

Número de pieza
BSH111,215
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- BSH111,215 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza BSH111,215
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 335mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Vgs (Max) ±10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-236AB (SOT23)
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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