QH8JA1TCR

20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,
QH8JA1TCR P1
QH8JA1TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QH8JA1TCR

Numéro d'article
QH8JA1TCR
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article QH8JA1TCR
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur TSMT8

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