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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSH108,215 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 830mW (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSH10-E | Panduit Corp | CONN SPLICE 10-12 AWG CRIMP | - | 0 | Einzelheiten |
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BSH103,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 127444 | Einzelheiten | |
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BSH103,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 25083 | Einzelheiten | |
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BSH105,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 | 45000 | Einzelheiten | |
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BSH105,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSH108,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSH111,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSH111,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSH111BKR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V SOT-23 | 33000 | Einzelheiten | |
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BSH112,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSH114,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSH121,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 | - | 6 | Einzelheiten |