APTGT200DA60T3AG

MOD IGBT 600V 290A SP3
APTGT200DA60T3AG P1
APTGT200DA60T3AG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT200DA60T3AG

Artikelnummer
APTGT200DA60T3AG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOD IGBT 600V 290A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGT200DA60T3AG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 290A
Leistung max 750W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3

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