APTGT200A602G

POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2
APTGT200A602G P1
APTGT200A602G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT200A602G

Artikelnummer
APTGT200A602G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer APTGT200A602G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 290A
Leistung max 625W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP2
Lieferantengerätepaket SP2

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