APTGT200A120D3G

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
APTGT200A120D3G P1
APTGT200A120D3G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT200A120D3G

Artikelnummer
APTGT200A120D3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGT200A120D3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300A
Leistung max 1040W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 6mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D-3 Module
Lieferantengerätepaket D3

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