APTGT200DH120G

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
APTGT200DH120G P1
APTGT200DH120G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT200DH120G

Artikelnummer
APTGT200DH120G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGT200DH120G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Asymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 280A
Leistung max 890W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP6
Lieferantengerätepaket SP6

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