IRFHM3911TRPBF

MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
IRFHM3911TRPBF P1
IRFHM3911TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFHM3911TRPBF

Artikelnummer
IRFHM3911TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFHM3911TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 6.3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3x3)
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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