TK16N60W,S1VF

MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
TK16N60W,S1VF P1
TK16N60W,S1VF P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK16N60W,S1VF

Một phần số
TK16N60W,S1VF
nhà chế tạo
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- TK16N60W,S1VF PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số TK16N60W,S1VF
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 600V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 15.8A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 790µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 300V
Vgs (Tối đa) ±30V
Tính năng FET Super Junction
Công suất Tối đa (Tối đa) 130W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Nhiệt độ hoạt động 150°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-247
Gói / Trường hợp TO-247-3

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm