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| Número de pieza | TK16N60W,S1VF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15.8A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | Super Junction |
| Disipación de potencia (Máx) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.9A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 15.8A TO247 | - | 90 | Detalles |