BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A
BSM300D12P2E001 P1
BSM300D12P2E001 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Rohm Semiconductor ~ BSM300D12P2E001

Một phần số
BSM300D12P2E001
nhà chế tạo
Rohm Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
BSM300D12P2E001.pdf BSM300D12P2E001 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số BSM300D12P2E001
Trạng thái phần Active
Loại FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET Standard
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 1200V (1.2kV)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 300A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs -
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Sức mạnh tối đa 1875W
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Chassis Mount
Gói / Trường hợp Module
Gói Thiết bị Nhà cung cấp Module

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm