Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ BSM300D12P2E001

номер части: BSM300D12P2E001
производитель: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BSM300D12P2E001.pdf BSM300D12P2E001 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

номер части	BSM300D12P2E001
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Функция FET	Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	300A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 68mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	35000pF @ 10V
Мощность - макс.	1875W
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BSM300D12P2E001	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 1200V 300A		24	подробности
BSM300GA120DLCHOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-2	-	431	подробности
BSM300GA120DLCSHOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-2	-	431	подробности
BSM300GA120DN2HOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-2	-	406	подробности
BSM300GA170DLCHOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-2	-	316	подробности
BSM300GA170DN2HOSA1	Infineon Technologies	MODULE IGBT 1700V		0	подробности
BSM300GB120DLCHOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-1	-	282	подробности
BSM300GB60DLCHOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 MED POWER 62MM-1	-	405	подробности
BSM30GD60DLCBOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1	-	841	подробности
BSM30GD60DLCE3224	Infineon Technologies	IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1	-	16210	подробности
BSM30GP60BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5	-	676	подробности