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| Número de pieza | BSM300D12P2E001 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 300A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 68mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 35000pF @ 10V |
| Potencia - Max | 1875W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSM300D12P2E001 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 300A | 24 | Detalles | |
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BSM300GA120DLCHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 62MM-2 | - | 431 | Detalles |
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BSM300GA120DLCSHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 62MM-2 | - | 431 | Detalles |
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BSM300GA120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 62MM-2 | - | 406 | Detalles |
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BSM300GA170DLCHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 62MM-2 | - | 316 | Detalles |
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BSM300GA170DN2HOSA1 | Infineon Technologies | MODULE IGBT 1700V | 0 | Detalles | |
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BSM300GB120DLCHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 | - | 282 | Detalles |
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BSM300GB60DLCHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 | - | 405 | Detalles |
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BSM30GD60DLCBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 | - | 841 | Detalles |
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BSM30GD60DLCE3224 | Infineon Technologies | IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 | - | 16210 | Detalles |
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BSM30GP60BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 | - | 676 | Detalles |