NCP81075DR2G

HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
NCP81075DR2G P1
NCP81075DR2G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

ON Semiconductor ~ NCP81075DR2G

Parça numarası
NCP81075DR2G
Üretici firma
ON Semiconductor
Açıklama
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- NCP81075DR2G PDF online browsing
Aile
PMIC - Kapı Sürücüleri
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası NCP81075DR2G
Parça Durumu Active
Sürülen Yapılandırma High-Side or Low-Side
Kanal Türü Independent
Sürücü Sayısı 2
Kapı Tipi N-Channel MOSFET
Gerilim - besleme 8.5V ~ 20V
Mantıksal Gerilim - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Akım - Tepe Çıkışı (Kaynak, Evye) 4A, 4A
Giriş tipi Non-Inverting
Yüksek Taraf Gerilimi - Maks (Bootstrap) 200V
Yükseliş / Düşme Saati (Tip) 8ns, 7ns
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 140°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tedarikçi Aygıt Paketi 8-SOIC

ilgili ürünler

Tüm ürünler