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Número de pieza | NCP81075DR2G |
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Estado de la pieza | Active |
Configuración Impulsada | High-Side or Low-Side |
Tipo de canal | Independent |
Cantidad de controladores | 2 |
Tipo de puerta | N-Channel MOSFET |
Suministro de voltaje | 8.5V ~ 20V |
Voltaje lógico - VIL, VIH | 0.8V, 2.7V |
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) | 4A, 4A |
Tipo de entrada | Non-Inverting |
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) | 200V |
Tiempo de subida / bajada (Tipo) | 8ns, 7ns |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 140°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |