NCP81075DR2G

HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
NCP81075DR2G P1
NCP81075DR2G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NCP81075DR2G

Artikelnummer
NCP81075DR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
PMIC - Gate-Treiber
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Produktparameter

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Artikelnummer NCP81075DR2G
Teilstatus Active
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side
Kanaltyp Independent
Anzahl der Treiber 2
Tortyp N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 8.5V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A
Eingabetyp Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) 200V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 7ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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