Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | APT77N60BC6 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 77A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 2.96mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | Super Junction |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 481W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 44.4A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-247 [B] |
| Paket / Durum | TO-247-3 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | ayrıntılar |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | ayrıntılar |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | ayrıntılar |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | ayrıntılar |