| номер части | APT77N60BC6 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 77A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 2.96mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 13600pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | Super Junction |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 481W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 44.4A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 [B] |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | подробности |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | подробности |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | подробности |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | подробности |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | подробности |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | подробности |
 |
APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | подробности |
