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| Numero di parte | APT77N60BC6 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 2.96mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 481W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 44.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | Dettagli |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | Dettagli |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | Dettagli |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | Dettagli |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Dettagli |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Dettagli |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Dettagli |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Dettagli |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Dettagli |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Dettagli |