Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | 1N8165US |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| tip | Zener |
| Tek Yönlü Kanallar | 1 |
| Çift Yönlü Kanallar | - |
| Gerilim - Ters Standoff (Tip) | 33V |
| Gerilim - Arıza (Min.) | 37.1V |
| Gerilim - Sıkıştırma (Max) @ Ipp | 53.6V |
| Akım - Pik Nabız (10 / 1000μs) | 2.8A |
| Güç - Pik Nabız | 150W |
| Güç Hattı Koruması | No |
| Uygulamalar | General Purpose |
| Kapasitans @ Frekans | - |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | SQ-MELF, A |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | - |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | 9 | ayrıntılar | |
 |
1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | 1 | ayrıntılar | |
 |
1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | 9 | ayrıntılar | |
 |
1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | 4 | ayrıntılar | |
 |
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | 2 | ayrıntılar | |
|
1N8147 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | ayrıntılar |
|
1N8147US | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3002 | ayrıntılar |
|
1N8148 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | ayrıntılar |