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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 1N8165US |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | Zener |
| Unidirektionale Kanäle | 1 |
| Bidirektionale Kanäle | - |
| Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 33V |
| Spannung - Ausfall (Min.) | 37.1V |
| Spannung - Spannung (Max) @ Ipp | 53.6V |
| Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) | 2.8A |
| Leistung - Spitzenpuls | 150W |
| Stromleitungsschutz | No |
| Anwendungen | General Purpose |
| Kapazität @ Frequenz | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, A |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | 9 | Einzelheiten | |
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1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | 1 | Einzelheiten | |
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1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | 0 | Einzelheiten | |
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1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | 9 | Einzelheiten | |
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1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 0 | Einzelheiten | |
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1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | 4 | Einzelheiten | |
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1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | 0 | Einzelheiten | |
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1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | 0 | Einzelheiten | |
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1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | 2 | Einzelheiten | |
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1N8147 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | Einzelheiten |
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1N8147US | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3002 | Einzelheiten |
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1N8148 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | Einzelheiten |