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| Número de pieza | 1N8165US |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo | Zener |
| Canales unidireccionales | 1 |
| Canales Bidireccionales | - |
| Voltaje - Separación inversa (Tipo) | 33V |
| Voltaje - avería (Min) | 37.1V |
| Voltaje: sujeción (máxima) @ Ipp | 53.6V |
| Corriente - Pulso máximo (10 / 1000μs) | 2.8A |
| Poder - Pulso máximo | 150W |
| Power Line Protection | No |
| Aplicaciones | General Purpose |
| Capacitancia @ Frecuencia | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SQ-MELF, A |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | 9 | Detalles | |
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1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | 1 | Detalles | |
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1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | 0 | Detalles | |
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1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | 9 | Detalles | |
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1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 0 | Detalles | |
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1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | 4 | Detalles | |
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1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | 0 | Detalles | |
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1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | 0 | Detalles | |
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1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | 2 | Detalles | |
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1N8147 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | Detalles |
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1N8147US | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3002 | Detalles |
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1N8148 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | Detalles |