номер части | SI4455DY-T1-E3 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | P-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 150V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1190pF @ 50V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 4A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | 8-SO |
Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |