| номер части | SI4453DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 12V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 600µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 165nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4451DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4451DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4453DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4453DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4455-B1A-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 436 | подробности |
 |
SI4455-B1A-FMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 0 | подробности |
 |
SI4455-C2A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 1899 | подробности |
 |
SI4455-C2A-GMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 0 | подробности |
 |
SI4455DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4455DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO | - | 2879 | подробности |
 |
SI4456DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC | - | 5000 | подробности |
 |
SI4456DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
