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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI4455DY-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI4451DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4451DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4453DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4453DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4455-B1A-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 436 | Einzelheiten |
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SI4455-C2A-GMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4455DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI4455DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO | - | 2879 | Einzelheiten |
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SI4456DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |