Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SI4453DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại FET | P-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 12V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 600µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 5V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Tối đa) | ±8V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 1.5W (Ta) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 8-SO |
| Gói / Trường hợp | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4451DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4451DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4453DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4453DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4455-B1A-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 436 | Chi tiết |
 |
SI4455-B1A-FMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4455-C2A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 1899 | Chi tiết |
 |
SI4455-C2A-GMR | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4455DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4455DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO | - | 2879 | Chi tiết |
 |
SI4456DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC | - | 5000 | Chi tiết |
 |
SI4456DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |