| номер части | TPN2R304PL,L1Q |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 0.3mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3600pF @ 20V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 40A, 10V |
| Рабочая Температура | 175°C |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN2R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON | - | 0 | подробности |
 |
TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 80A TSON | - | 0 | подробности |
 |
TPN2R503NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV | - | 0 | подробности |
 |
TPN2R703NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON | - | 10000 | подробности |
|
TPN2R805PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 163343 | подробности |
