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| Número de pieza | TPN2R304PL,L1Q |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 0.3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 40A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TPN2R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON | - | 0 | Detalles |
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TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 80A TSON | - | 0 | Detalles |
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TPN2R503NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV | - | 0 | Detalles |
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TPN2R703NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON | - | 10000 | Detalles |
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TPN2R805PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 163343 | Detalles |