SCT30N120

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
SCT30N120 P1
SCT30N120 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

STMicroelectronics ~ SCT30N120

номер части
SCT30N120
производитель
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SCT30N120 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SCT30N120
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1700pF @ 400V
Vgs (Макс.) +25V, -10V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 270W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика HiP247™
Упаковка / чехол TO-247-3

сопутствующие товары

Все продукты