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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SCT30N120 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 400V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 270W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | HiP247™ |
Paket / Fall | TO-247-3 |