SCT30N120

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
SCT30N120 P1
SCT30N120 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

STMicroelectronics ~ SCT30N120

品番
SCT30N120
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 SCT30N120
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 20V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 105nC @ 20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1700pF @ 400V
Vgs(最大) +25V, -10V
FET機能 -
消費電力(最大) 270W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
動作温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ HiP247™
パッケージ/ケース TO-247-3

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