| номер части | MSD2714AT1G |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип транзистора | NPN |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 25V |
| Частота - переход | 650MHz |
| Шум (дБ Тип @ f) | - |
| Усиление | - |
| Мощность - макс. | 225mW |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 90 @ 1mA, 6V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Пакет устройств поставщика | SC-59 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSD200-08 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3 | - | 0 | подробности |
 |
MSD200-12 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3 | - | 15 | подробности |
 |
MSD200-16 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 1600V 200A SM3 | - | 2 | подробности |
 |
MSD2714AT1G | ON Semiconductor | TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59 | - | 0 | подробности |
