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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MSD2714AT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 25V |
| Frequenz - Übergang | 650MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinnen | - |
| Leistung max | 225mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 1mA, 6V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SC-59 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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MSD200-08 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3 | - | 0 | Einzelheiten |
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MSD200-12 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3 | - | 15 | Einzelheiten |
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MSD200-16 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 1600V 200A SM3 | - | 2 | Einzelheiten |
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MSD2714AT1G | ON Semiconductor | TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59 | - | 0 | Einzelheiten |