Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | MSD2714AT1G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Frequenza - Transizione | 650MHz |
| Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | - |
| Potenza - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 1mA, 6V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSD200-08 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3 | - | 0 | Dettagli |
 |
MSD200-12 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3 | - | 15 | Dettagli |
 |
MSD200-16 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 1600V 200A SM3 | - | 2 | Dettagli |
 |
MSD2714AT1G | ON Semiconductor | TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59 | - | 0 | Dettagli |