APTGV50H60BT3G

MOD IGBT NPT 600V SP3
APTGV50H60BT3G P1
APTGV50H60BT3G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGV50H60BT3G

номер части
APTGV50H60BT3G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
MOD IGBT NPT 600V SP3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGV50H60BT3G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGV50H60BT3G
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT NPT, Trench Field Stop
конфигурация Boost Chopper, Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 65A
Мощность - макс. 250W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP3
Пакет устройств поставщика SP3

сопутствующие товары

Все продукты