APTGV100H60T3G

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
APTGV100H60T3G P1
APTGV100H60T3G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGV100H60T3G

номер части
APTGV100H60T3G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGV100H60T3G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGV100H60T3G
Статус детали Obsolete
Тип IGBT NPT, Trench Field Stop
конфигурация Full Bridge Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 150A
Мощность - макс. 340W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP3
Пакет устройств поставщика SP3

сопутствующие товары

Все продукты