APTGV50H60BT3G

MOD IGBT NPT 600V SP3
APTGV50H60BT3G P1
APTGV50H60BT3G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGV50H60BT3G

Artikelnummer
APTGV50H60BT3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOD IGBT NPT 600V SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- APTGV50H60BT3G PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGV50H60BT3G
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop
Aufbau Boost Chopper, Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 65A
Leistung max 250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3

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