APTGT75SK120D1G

IGBT 1200V 110A 357W D1
APTGT75SK120D1G P1
APTGT75SK120D1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT75SK120D1G

номер части
APTGT75SK120D1G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1200V 110A 357W D1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
APTGT75SK120D1G.pdf APTGT75SK120D1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT75SK120D1G
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 110A
Мощность - макс. 357W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 4mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 5345nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол D1
Пакет устройств поставщика D1

сопутствующие товары

Все продукты