APTGT75SK120D1G

IGBT 1200V 110A 357W D1
APTGT75SK120D1G P1
APTGT75SK120D1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT75SK120D1G

Número de pieza
APTGT75SK120D1G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
IGBT 1200V 110A 357W D1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza APTGT75SK120D1G
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 110A
Potencia - Max 357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 4mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 5345nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja D1
Paquete de dispositivo del proveedor D1

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