APTGT50H60RT3G

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
APTGT50H60RT3G P1
APTGT50H60RT3G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT50H60RT3G

номер части
APTGT50H60RT3G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGT50H60RT3G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT50H60RT3G
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Full Bridge Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 80A
Мощность - макс. 176W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
вход Single Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP3
Пакет устройств поставщика SP3

сопутствующие товары

Все продукты