APTGT50H60RT3G

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
APTGT50H60RT3G P1
APTGT50H60RT3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT50H60RT3G

Número de pieza
APTGT50H60RT3G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza APTGT50H60RT3G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Full Bridge Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Potencia - Max 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Corriente - corte de colector (máximo) 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Entrada Single Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP3
Paquete de dispositivo del proveedor SP3

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